导读：很多朋友不知道芯片电容中的高介薄型陶瓷芯片电容制备工艺研究，如何选择芯片电容。射频易商城RFeasy.cn为你解答芯片电容中的高介薄型陶瓷芯片电容制备工艺研究
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高介薄型陶瓷芯片电容制备工艺研究
研究了高介薄型陶瓷芯片电容的金属化和微小元件的精密切割工艺。 分别采用 TiW/Au 层、 TiW/Ni/Au 层和TaN/TiW/Au 层制备电极, 并采用电容器绝缘电阻的偏压特性和温度特性、 电容器电容量和介电损耗的温度特性表征了电容在电极金属化工艺中不同电极材料对高介薄型陶瓷电容器性能的影响, 优选出了电极制备的膜系结构。通过选择刀具类型, 优化切割固定方法, 本工作有效规避了切割崩边和卷边问题, 实现了微小元件的精密切割, 成功制备出一种性能优异的高介薄型陶瓷芯片电容器。
现代信息通信技术, 要求实现电子系统中关键组成器件的小型化、 轻量化以满足应用需求。 高介薄型陶瓷芯片电容具有尺寸小、 损耗小、 容量大、 温度稳定性好等特点, 其在元器件表面贴装技术和微电子电子元件与材料路中发挥着越来越重要的作用。
高介薄型陶瓷芯片电容的制备主要有三个关键的工艺环节, 一是高介陶瓷介质基片的制备, 陶瓷介质基片的特性与最终电容器表面微观形貌、 电阻性能和介电性能密切相关; 二是陶瓷介质基片表面的金属电极制备, 也称薄膜金属化工艺, 金属化工艺直接影响电容器电 极的性能, 对电 容器性能影响非常大[ 1-3] ;最后是电容器件的精密切割, 由 于高介薄型陶瓷电容器基片薄、 晶粒粗、 脆性强, 易出 现碎裂、 飞晶、 卷边、 毛刺等严重影响器件质量的现象。 针对高介薄型陶瓷芯片电容的三个关键工艺环节, 作者在前面的工作中已经报道了不同成型工艺对陶瓷芯片电容性能的影响
, 而本文将针对金属化工艺和电容器精密切割工艺对薄型陶瓷芯片电容性能的影响进行系统研究。
推荐产品一、丽芯微电 220pF, ≥1G@50V, 双面不留边 单层芯片电容
型号：C11-15-50V-221
容值/容差：220pF / ±20%
温度系数：±15%@-55～+125℃
绝缘电阻@电压：≥1G@50V
损耗@频率：≤2.5@1MHz
封装尺寸：0.381*0.381*0.178 mm
性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，电极正面及反面均不留绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
推荐产品二、丽芯微电 22pF, ≥100G@100V, 双面不留边 单层芯片电容
型号：C11-15-100V-220
容值/容差：22pF / ±20%
温度系数：±15%@-55～+125℃
绝缘电阻@电压：≥100G@100V
损耗@频率：≤4.0@1KHz
封装尺寸：0.381*0.381*0.178 mm
性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，电极正面及反面均不留绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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