导读：很多朋友不知道芯片电容的原理及指标，如何选择芯片电容。射频易商城RFeasy.cn为你解答芯片电容的原理及指标
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小尺寸芯片电容加工工艺研究因为理想平板电容器的电场线是直线的， 但实际情况下， 在靠近电容边缘的地方电场线会弯曲， 越靠近边缘就越弯曲， 这种弯曲的现象叫做边缘效应电场分如图2平板电容的边缘效应实际平板电容边缘电场线由于变形已经到了空气中， 但由于空气的介电常数比较低， 因此影响不是很大( 尤其是尺寸比较大时) 。 但是如果平板电容的上下电极尺寸不一致， 由于边缘高介材料的存在，那么这个边缘效应的影响将会很明显， 带防溢胶边结构的芯片电容电场分布对于小尺寸小容值的带防溢胶边结构的芯片电容来说， 这个边界效应的影响就会更大。 因此在这种情况下， 就不能简单通过理论公式来计算电容外形尺寸。为了研究边界效应的影响， 使用电学仿真软件Conventer进行仿真。 将仿真值与理论计算值进行对照。从表1中可以看出， 上下极板不一致的电容即有防溢胶边结构的电容， 边缘效应影响较大。 对于尺寸稍大的电容， 仿真值与理论计算值的偏差只有14％左右， 但对于小尺寸的电容来说， 仿真值与理论计算值相差几乎达到50％， 因此对于小尺寸小容值的电容来说， 只有通过仿真才能制备出容值精度较高的芯片电容。通过仿真设计，芯片电容加工采用薄膜电路工艺。 基板采用钛酸钡基电容基板， 基板厚度为0． 127 mm， 介电常数为4 000。 加工流程如图4所示。光刻图4芯片电吞加工流程具体的加工工艺步骤如下：
1) 清洗及前处理： 对选取的硅基板进行湿法清洗并进行高温处理以充分去除基板表面污染；2) 溅射种子层： 在电容基板表面溅射种子层；
4) 光刻： 通过匀胶、 曝光、 显影， 制作出局部
电镀加厚用光刻胶掩膜图形；
5) 电镀： 对基板上的电容电极图形进行电镀加厚；
6) 刻蚀： 利用湿法刻蚀工艺去除非图形区域的种子层；
7) 划切成型： 利用砂轮划切技术将单支电容切割成型；
8) 性能测试： 利用LCR电桥等设备对电容电学性能进行测试。
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性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，单面电极留有绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。
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