导读：很多朋友不知道芯片电容的基本参数及分类方法，如何选择芯片电容。射频易商城RFeasy.cn为你解答电容的基本参数及分类方法。
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一般芯片电容的检验项目及标准
1. 外观
1. 1 检验设备放大镜(50 倍)1. 2 检验方法及要求
用酒精棉球抹擦无损伤, 标志内容有温度组别, 额定工作电压, 标称电容量, 电容量偏差范围, 如客户另有要求则按客户要求执行.
1. 3 判定
抹擦后标志不清, 内容不齐全者为不合格品.
1. 4 缺陷分类
轻微缺陷
2. 外形尺寸
2. 1 检验设备
千分尺, 测微器
2. 2 检验方法及要求
按国标详细规范执行, 尺寸需符合国标要求.
2. 3 判定
测量结果超出国标要求者为不合格品.
2. 4 缺陷分类
一般缺陷
3. 电容量
3. 1 检验设备
TH2615C, HP4278, YY2814
3. 2 检验方法
CT81: f=1KHz
V： 1±0. 02V
CC81: f=1MHz
V≤5V
3. 3 测试环境条件
温度: 25±5℃
相对湿度: 60±5%
3. 4 要求
需符合国标或企标的要求.
3. 5 缺陷分类
严重缺陷
4. 损耗角正切值(tgδ )
4. 1 检验设备
TH2615C, HP4278, YY2814
4. 2 检验方法
CT81: f=1KHz
V： 1±0. 02V
CC81: f=1MH
4. 3 测试环境条件
温度: 25±5℃
相对湿度: 60±5%
4. 4 要求
需符合国标或企标的要求.
4. 5 缺陷分类
严重缺陷
5. 绝缘电阻
5. 1 检验设备
绝缘电阻测仪
5. 2 检验方法
VR<10KV
测试量电压 500V
充电电流<0. 05A
5. 3 要求
绝缘电阻值>=10E4MΩ
5. 4 缺陷分类
严重缺陷
6. 耐压
6. 1 检验设备
耐压测试仪 CJ2671C, CJ2672A, CJ2678
6. 2 检验方法
直流: VR<500V 时 Vt=3VR
1KV VR>=6KV 时 Vt=1. 5VR
交流: Vt=(6-10) VR 或按客户要求
6. 3 要求
试验引出端间耐压测试 1min, 要求无击穿, 或飞弧.
6. 4 缺陷分类
致命缺陷
7. 可焊性
7. 1 检验设备
焊锡槽, 放大镜(50 倍)
72 检验方法
将电容器的引脚以纵轴方向浸渍到 235±5℃的焊槽中, 保持 2±0. 5sec 取出.
7. 3 要求
电容器的引脚经过浸渍过, 表面必须覆盖有一层光滑明亮的焊锡, 引脚表面只充许有少
量分散的针孔或未上锡的缺陷, 且这些缺陷不得集中在同一区域.
7. 4 缺陷分类
严重缺陷
7. 5 表面贴装其可焊性. 具体检验方法参见国标
8. 电容量温度特性(系数)
8. 1 检验设备
高温箱, 容量仪, 冰箱, 温度计
8. 2 检验方法
按以下条件测量其温度特性(系数)
T1=20±2℃ T2=0±2℃ T3=20±2℃ T4=85±2℃
在各温度点保温 30-40min 后, 分别测试其电容量
8. 3 要求
Δ c/c 应不超过以下范围:
2B4: ±10%
2R4: ±15%
2E4: +20~55%
2F4: +30~85%
SL: +140~1000ppm/℃
推荐产品一、丽芯微电10pF, ≥100G@100V, 表面贴装 单层芯片电容
型号：C13-0402-100V-100
容值/容差：10pF / ±20%
温度系数：±15%@-55～+125℃
绝缘电阻@电压：≥100G@100V
损耗@频率：≤4.0@1KHz
封装尺寸：1.016*0.5*0.178 mm
性能特点：采用表面贴装型安装工艺、避免金丝焊接;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选;温度范围：-55 ~ +125℃
推荐产品二、丽芯微电330pF, ≥1G@50V, 表面贴装 单层芯片电容
型号：C13-0603-50V-331
容值/容差：330pF / ±20%
温度系数：±15%@-55～+125℃
绝缘电阻@电压：≥1G@50V
损耗@频率：≤4.0@1KHz
封装尺寸：1.524*0.762*0.178 mm
性能特点：采用表面贴装型安装工艺、避免金丝焊接;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选;温度范围：-55 ~ +125℃
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